国内【图文速递】图1.基于石墨烯场效应晶体管（GFET）传感器阵列的晶圆纳米制造和功能化。
图3A-CrS/HC-CoS2、成器缺全防CoS2、CrS和Pt/C的(a)HER LSV曲线。Cr-S-Co共价键形成界面电荷传输通道，乏安优化了H*和OOH*中间体在CrS/CoS2异质结上的吸附，从而加快了HER和OER的速率决定步骤。
王融，护措工学博士，讲师。CoS2、国内CrS和CrS/CoS2异质结上的(c)HER和(d)OER处理的自由能图。成器缺全防(b)CrS/CoS2异质界面的三维电荷密度差为0.0012e·Bohr-3。
乏安图5 (a)几何优化后CrS/CoS2异质结的结构模型。护措主要研究方向为MOF材料及其衍生物的可控制备与电催化性能研究。
非晶CrS/高晶CoS2异质结(A-CrS/HC-CoS2)中的非晶/高晶结构不仅有利于生成丰富的界面，国内暴露更多的活性位点，国内从而获得较高的HER和OER活性，而且还有助于A-CrS/HC-CoS2在水电解过程中的结构和组成演变，确保了较高的HER和OER稳定性。
成器缺全防A-CrS/HC-CoS2 OER反应后的(h)TEM,(i,j)HRTEMimagesand(k)EDSmapping。乏安【图文速递】图1.基于石墨烯场效应晶体管（GFET）传感器阵列的晶圆纳米制造和功能化。
护措图3.GFET传感器的噪声谱测量。我们发现，国内在热退火后，大多数（约60%）的设备都实现了相对较窄的电子分布（相对于众数值的变化在±10%范围内），无论是电阻还是漏电流开关比。
由于其距离通道（d1、成器缺全防d2、成器缺全防d3等）的位置（水平虚线）确定，每个缺陷都具有其独特的时间常数（τ1、τ2、τ3等，用不同长度的彩色箭头表示）和唯一的功率谱密度（PSD），如不同颜色的PSD示意图中的虚线曲线所示。乏安传感器的可逆性和重复性对于其实际应用至关重要。